Pamięci NAND z 3 bitami na komórkę
Autor: Paweł S o sobota 9. luty 2008
Przełamując kolejną barierę w rozwoju pamięci flash, firma SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) ogłosiła, że na przełomie marca i kwietnia 2008 r. planuje rozpocząć masową produkcję pierwszych na świecie komercyjnych pamięci NAND flash w technologii trzech bitów na komórkę (x3).
16-gigabitowe (Gb) pamięci x3 NAND flash wykorzystują standardowy dla firmy SanDisk proces produkcyjny 56nm, umożliwiając uzyskanie o 20% więcej półprzewodników z wafla krzemowego w porównaniu do standardowych pamięci NAND MLC flash (2 bity na komórkę) wytwarzanych w tym samym procesie. Technologia x3 zwiększa efektywność produkcji i obniża koszty półprzewodników przy zachowaniu identycznych nakładów kapitałowych. Prace nad nową architekturą 3x trwały przez ostatnie dwa lata. Wykorzystano w nich najbardziej zaawansowane, opatentowane innowacje firmy SanDisk, które umożliwiły osiągnięcie takiej samej wydajności i wysokiej niezawodności, jaką cechują się układy SanDisk z dwoma bitami na komórkę.
Technologia 3 bitów na komórkę została opracowana wspólnie z firmą Toshiba, która jest partnerem firmy SanDisk w pracach związanych z rozwojem i produkcją zaawansowanych pamięci flash. Podczas odbywającej się właśnie konferencji International Solid State Circuits Conference obydwie firmy zaprezentowały opracowanie techniczne, opisujące najważniejsze osiągnięcia, które doprowadziły do powstania 16-gigabitowych pamięci x3 NAND flash wytwarzanych w procesie 56nm, osiągających prędkość zapisu na poziomie 8 megabajtów na sekundę (MB/s).