Pamięci NAND 43nanometrów
Autor: Paweł S o poniedziałek 11. luty 2008
Firma SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) zaprezentowała wielopoziomowe (MLC) pamięci typu NAND flash wykonane w technologii 43 nanometrów (nm), zaprojektowane w Japonii wspólnie z koncernem Toshiba. Przejście na technologię 43nm umożliwia dwukrotne zwiększenie gęstości upakowania układów w porównaniu do technologii 56nm, w której wytwarzane są pamięci o pojemności 16 gigabitów (Gb). Dzięki temu spadają koszty półprzewodników, a utrzymana zostaje wydajność i niezawodność. W drugim kwartale 2008 r. SanDisk zamierza rozpocząć dostawy produktów wykorzystujących jednoukładowe pamięci typu MLC NAND flash o najwyższej dostępnej gęstości upakowania. W pierwszej kolejności pojawią się modele o pojemności 16 gigabitów, a w drugiej połowie roku dołączą wersje 32-gigabitowe.