Autor: Paweł S o 11. luty 2008
Firma SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) zaprezentowała wielopoziomowe (MLC) pamięci typu NAND flash wykonane w technologii 43 nanometrów (nm), zaprojektowane w Japonii wspólnie z koncernem Toshiba. Przejście na technologię 43nm umożliwia dwukrotne zwiększenie gęstości upakowania układów w porównaniu do technologii 56nm, w której wytwarzane są pamięci o pojemności 16 gigabitów (Gb). Dzięki temu spadają koszty półprzewodników, a utrzymana zostaje wydajność i niezawodność. W drugim kwartale 2008 r. SanDisk zamierza rozpocząć dostawy produktów wykorzystujących jednoukładowe pamięci typu MLC NAND flash o najwyższej dostępnej gęstości upakowania. W pierwszej kolejności pojawią się modele o pojemności 16 gigabitów, a w drugiej połowie roku dołączą wersje 32-gigabitowe.
Napisany w Newsy IT | Brak komentarzy »
Autor: Paweł S o 9. luty 2008
Przełamując kolejną barierę w rozwoju pamięci flash, firma SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) ogłosiła, że na przełomie marca i kwietnia 2008 r. planuje rozpocząć masową produkcję pierwszych na świecie komercyjnych pamięci NAND flash w technologii trzech bitów na komórkę (x3).
16-gigabitowe (Gb) pamięci x3 NAND flash wykorzystują standardowy dla firmy SanDisk proces produkcyjny 56nm, umożliwiając uzyskanie o 20% więcej półprzewodników z wafla krzemowego w porównaniu do standardowych pamięci NAND MLC flash (2 bity na komórkę) wytwarzanych w tym samym procesie. Technologia x3 zwiększa efektywność produkcji i obniża koszty półprzewodników przy zachowaniu identycznych nakładów kapitałowych. Prace nad nową architekturą 3x trwały przez ostatnie dwa lata. Wykorzystano w nich najbardziej zaawansowane, opatentowane innowacje firmy SanDisk, które umożliwiły osiągnięcie takiej samej wydajności i wysokiej niezawodności, jaką cechują się układy SanDisk z dwoma bitami na komórkę.
Czytaj więcej »
Napisany w Newsy IT | Brak komentarzy »
